根据光源类型，光刻机分为：i线、krf、arf 和 euv 光刻机。光刻机的性能由分辨率、套刻精度、曝光场、吞吐量、生产力和波长等参数描述，其中波长决定了分辨率和套刻精度。
光刻机的分类
光刻机根据其光源类型可分为：
- i线光刻机：使用波长为 365 纳米的 i线准分子激光作为光源。
- KrF 光刻机：使用波长为 248 纳米的 KrF 准分子激光作为光源。
- ArF 光刻机：使用波长为 193 纳米的 ArF 准分子激光作为光源。
- EUV 光刻机：使用波长为 13.5 纳米的极紫外光 (EUV) 作为光源。
光刻机的参数
光刻机的性能由以下参数描述：
- 分辨率：刻划在硅片上最小特征尺寸的能力，通常以纳米 (nm) 为单位测量。
- 套刻精度：对齐不同光刻层的精度，通常以纳米为单位测量。
- 曝光场：一次曝光中暴露的硅片面积，通常以平方毫米 (mm²) 为单位测量。
- 吞吐量：每小时可以加工的晶圆数，通常以晶圆每小时 (wph) 为单位测量。
- 生产力：吞吐量和套刻精度之间的平衡，反映了光刻机的整体效率。
- 波长：光源的波长，决定了光刻机的分辨率和套刻精度。
- 光刻胶：对光敏感的材料，用于将掩膜上的图案转移到硅片上。
