光刻机根据光源类型、透镜类型、投影方式、分辨率、产能、自动化程度和成本分类。光刻机的应用和技术需求随着半导体技术的进步而不断变化，推动着光刻机分类的演变。
光刻机的分类
光刻机是一种用于在半导体晶片上创建微小图案的关键设备，其分类基于以下几个主要特征：
1. 光源类型
- 紫外光 (UV) 光刻机：使用紫外光，波长范围约为 193nm 至 248nm。
- 深紫外光 (DUV) 光刻机：使用 13.5nm 至 193nm 波长的光，可实现更高的分辨率。
- 极紫外光 (EUV) 光刻机：使用 13.5nm 波长的光，可实现最先进的芯片设计。
2. 透镜类型
- 步进式透镜：在晶片表面一次曝光一小部分区域，然后移动晶片进行后续曝光。
- 扫描式透镜：使用光束扫描整个晶片表面，实现更快的曝光速度和更高的精度。
3. 投影方式
- 接触式光刻机：光刻掩模直接接触晶片表面。
- 接近式光刻机：存在少量间隙，光刻掩模接近但未接触晶片表面。
- 投影式光刻机：光刻掩模与晶片之间存在一定距离，光线通过透镜投影到晶片上。
4. 分辨率
- 关键尺寸 (CD)：光刻机可生成的最小图案尺寸。
- 节点：半导体技术节点的缩小，需要更小的关键尺寸。
5. 产能
- 晶片尺寸：光刻机可处理的不同尺寸的晶片。
- 吞吐量：光刻机每小时可曝光的晶片数量。
6. 其他因素
- 自动化程度：光刻机中自动执行任务的能力。
- 成本：光刻机是昂贵的设备，成本因功能不同而异。
不同的光刻机类型适用于不同的应用和技术需求。随着半导体技术的发展，光刻机的分类也在不断演变，以满足不断增长的需求。
